彭博：三星 HBM4 高频记忆体进入辉达最终资格认证，下个月即可量产

三星在高频宽记忆体（HBM）竞赛上传出关键进展。《彭博》引述知情人士说法，三星最新一代 AI 记忆体晶片 HBM4 已进入辉达最终资格认证（final qualification）阶段，距离正式取得供应资格再近一步，可望缩小与 SK 海力士（SK Hynix）之间的差距。

(辉达 Vera Rubin 有何改变？解析记忆体战国时代：SK 海力士、三星、美光、SanDisk)

知情人士曝：三星 HBM4 下个月即可量产

知情人士指出，三星早在 2025 年 9 月就向辉达提供 HBM4 初始样品，目前正迈入最终验证流程。辉达在 AI 加速器产品上大量采用 HBM，以支撑高速资料吞吐与大模型训练、推论需求。

该名知情人士透露，三星正准备于 2026 年 2 月启动 HBM4 量产，已具备「不久后即可出货」的供应能力，但实际出货时间仍未完全明朗。

SK 海力士、三星财报周四登场

市场关注：若三星顺利完成认证，是否能与 SK 海力士、美光（Micron）并列，成为辉达下一代旗舰 AI 平台 Rubin 的记忆体供应来源。至今辉达在最先进 HBM 供应上仍最倚重 SK 海力士。

此外，南韩《韩国经济日报》报导，三星已通过辉达与 AMD 的 HBM4 最终品质测试，不再只是送样，而是开始进入量产产品的正式订单与出货准备；报导并称三星最快可能于下月开始向辉达与 AMD 供货。

依《韩国经济日报》说法，三星 HBM4 的动作速度可达每秒 11.7Gb，高于辉达与 AMD 原先要求的 10Gb 规格。报导指出，三星为在 HBM4 世代逆转战局，采取极致性能策略：DRAM 采用较竞品更先进的 10 奈米级 Gen6（1c），Logic Die 则导入三星晶圆代工的 4nm 先进制程。

SK 海力士将于本周四 (1 月 29 日) 台湾时间早上八点召开财报电话会议，三星则是同日的早上九点。市场预期管理层将在会中更新 HBM4 验证进度、量产时程、以及辉达／AMD 等大客户导入节点。若三星能在 HBM4 世代取得更明确的「量产供货」里程碑，将直接牵动 2026 年 HBM 产能分配、价格谈判力，以及辉达 Rubin 平台供应链的重新排序。